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Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 176W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 75V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4V
Maximum Drain Current |Id|: 76 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175°C
Références spécifiques