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      Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A
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      250,000 TND
      TTC
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      • Livraison:Livraison: Option de mode de livraison diversifiée
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      Description :

      2MBI100SC-120

      Module Trans IGBT N-CH 1200V 150A 780000mW

      Tension maximale collecteur-émetteur : 1200 V

      Tension maximale de l'émetteur de porte : ± 20 V

      Courant de collecteur continu maximum : 150A

      Dissipation de puissance maximale : 780 000 mW

      Température de fonctionnement minimale : -40°C

      Température de fonctionnement maximale : 150°C

      Nombre de broches : 7

      8100-00119

      Références spécifiques

      Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A

      Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A

      250,000 TND
      TTC