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Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A
250,000 TND
TTC
Paiement: Tous les types de paiement disponibles
Livraison: Option de mode de livraison diversifiée
Politique retours Echange ou remboursement possible sous conditions
Description :
2MBI100SC-120
Module Trans IGBT N-CH 1200V 150A 780000mW
Tension maximale collecteur-émetteur : 1200 V
Tension maximale de l'émetteur de porte : ± 20 V
Courant de collecteur continu maximum : 150A
Dissipation de puissance maximale : 780 000 mW
Température de fonctionnement minimale : -40°C
Température de fonctionnement maximale : 150°C
Nombre de broches : 7
8100-00119
Références spécifiques
Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A
250,000 TND
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