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2SK1101 MOSFET N -Channel 50W
3,500 TND
TTC
Paiement: Tous les types de paiement disponibles
Livraison: Option de mode de livraison diversifiée
Politique retours Echange ou remboursement possible sous conditions
Type Designator: 2SK1101-01MR
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 450 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 80 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 160 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.65 Ohm
1700-00305
Références spécifiques
2SK1101 MOSFET N -Channel 50W
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