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Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 95 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 250 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 37 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 30 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 220 pF
MaNimum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.1 Ohm
Package: TO220F
Références spécifiques