Le TBD62387AFNG(Z,EL) est un circuit intégré monolithique silicium BiCD de la série TBD62387A. Il intègre des diodes de blocage pour bloquer la force contre-électromotrice générée lors de la commande d'une charge inductive.

Réseau de transistors DMOS à faible dissipation active à 8 canaux

La haute tension est de 50V (max, Ta = 25°C), le courant élevé est de 500 mA/ch (max, Ta = 25°C)

Plage de tension d'entrée de 0 à VCC-3,5V (IOUT = -100 mA ou plus, VDS = 2 V, sortie activée, Ta = -40 à 85°C)

La tension de la broche COMMUNE est de 50 V (max, Ta = -40 à 85°C)

Le courant direct de la diode de serrage est de 400mA (max, Ta = -40 à 85°C)

Le courant de consommation est de 60μA (par canal, typ., Ta = 25°C, VCC = 5,5V, VIN = 0V)

Le courant inverse de la diode de serrage est de 1,0 μA (max, VR = 50V, Ta = 85°C)

Le délai de mise sous tension est de 0,6μs (typique, VCC = 5,0V, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)

Le délai de désactivation est de 0,6μs (typique, VCC = 5,0V, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)

Boîtier SSOP20-P-225-0,65A, plage de température de fonctionnement de -40 à 85°C